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產(chǎn)品型號：STZ-36-17

爐膛尺寸：300*400*300mm

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛用于硬質(zhì)合金的熱處理、陶瓷、粉末冶金材料；也用于合金磨具，軟磁材料的釬焊和其他材料的熱處理。

產(chǎn)品型號：STZ-100-12

爐膛尺寸：400*600*450mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：主要為科研院所、工廠企業(yè)等實驗室提供高溫?zé)崽幚憝h(huán)境，可在應(yīng)用于陶瓷材料、半導(dǎo)體材料等新材料領(lǐng)域。

產(chǎn)品型號：STZ-30-12

爐膛尺寸：300*500*200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：主要為科研院所、工廠企業(yè)等實驗室提供高溫?zé)崽幚憝h(huán)境，可在應(yīng)用于陶瓷材料、半導(dǎo)體材料等新材料領(lǐng)域。

產(chǎn)品型號：STZ-18-14

爐膛尺寸：250*300*250mm

額定溫度：1400℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：1400℃真空氣氛爐可在真空和保護(hù)氣氛下工作，廣泛應(yīng)用于硬質(zhì)合金的熱處理、陶瓷、粉末冶金材料

產(chǎn)品型號：STZ-12-17

爐膛尺寸：200*300*200mm

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：該產(chǎn)品廣泛用于真空淬火、退火和高速鋼、合金磨具，軟磁材料的釬焊和其他材料的熱處理。

產(chǎn)品型號：STZ-3-17

爐膛尺寸：150*150*150mm

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛用于硬質(zhì)合金的熱處理、陶瓷、粉末冶金材料；也用于合金磨具，軟磁材料的釬焊和其他材料的熱處理。

產(chǎn)品型號：STGX-150-12Q

爐管尺寸：Φ150×1500mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于3D增材制造、新能源材料和粉末新材料行業(yè)的中試燒結(jié)和產(chǎn)品批量熱處理

產(chǎn)品型號：STQ-8-12

爐膛尺寸：200 x300*120mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結(jié)構(gòu)，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護(hù)氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質(zhì)材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結(jié)。

產(chǎn)品型號：STQ-500-14

爐膛容積：500L

額定溫度：1400℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結(jié)構(gòu)，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護(hù)氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質(zhì)材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結(jié)

產(chǎn)品型號：STQ-90-17

爐膛容積：90L

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結(jié)構(gòu)，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護(hù)氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質(zhì)材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結(jié)。

產(chǎn)品型號：STQ-20-17

爐膛尺寸：250*320*250mm

最高溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結(jié)構(gòu)，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護(hù)氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質(zhì)材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結(jié)

產(chǎn)品型號：STGP-80-12

爐膛尺寸：Φ80x1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積。